光学镜片的镀膜技能是整个光学系统的一个重要组成部分，杰出的镀膜技能能改进镜片的折射率、阿贝数、散射、衍射和化学功能。光学薄膜真空镀膜技能一般都会选用物理气相堆积（PVD）技能，包括热蒸腾、溅射、离子镀等办法。

  电池隔阂锂电池隔阂基体资料最重要的包括聚丙烯、聚乙烯资料和添加剂。隔阂所选用的基体资料的好坏在于电解液的滋润性和吸液保湿才能直接的联络，因为基体资料的自身特性，滋润差，需用相应的工艺来进步其亲水性，而

  运用OKSUN等离子体技能，对资料标明上进行炮击，可有用去除外表污染物，使工件外表亲水性大幅度的进步。清洗后的水滴夹角小于5度，为下道工序的进行奠定杰出基础。

  跟着智能手机的快速的进步，人们对手机摄像头像素的要求渐渐的升高，现在用传统的CSP封装工艺制作的手机摄像模组像素已达不到人们的需求，而用COB/COG/COF封装工艺制作的手机摄像模组已被很多的运用到了现在的千万像素的手机中

  导尿管 导尿管一般是以天然橡胶、硅橡胶或聚氯乙烯（PVC）资料制作成，因其资料自身的生物相容性较差，需选用等离子体改性，进步基材的滋润性，并在PVC外表涂覆了三氯生和溴硝醇，改性后的PVC资料能杀死细菌

  在半导体制作设备中，光刻机、刻蚀机、薄膜堆积设备是三大首要的设备，依据 SEMI 测算数据，光刻机、刻蚀机、薄膜堆积设备别离约占半导体设备商场的24%、20%和20%。刻蚀是使用化学或物理办法有挑选地

  在本文将扼要阐明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技能的特色和差异。在半导体制作中，在处理基板或在基板上构成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技能。蚀刻技能的开展对完结英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出

  刻蚀技能总述在20世纪60年代后期，湿法刻蚀曾经是低成本集成电路制作的关键技能。半导体工艺制程及芯片功能的不断迭代不断的进步，跟着制程进入六次微米级，根据化学反应的湿法刻蚀，现已跟不上芯片的精度要求了，

  等离子体蚀刻可能是半导体制作中最重要的工艺，也可能是仅次于光刻的一切晶圆厂操作中最杂乱的。简直一半的晶圆制作过程都依赖于等离子体，一种高能电离气体来完结它们的作业。虽然晶体管和存储单元不断缩小，工程师

  CCP全称是Capacitively Coupled Plasma，即电容耦合等离子。是一种大范围的运用在芯片制作刻蚀的工艺，可以以极高的精度和对资料的最小损害来刻蚀晶圆资料。CCP作业原理：电容耦合等离子